Memoria Swissbit DDR2 533 PC-4300 2x512MB
| · Análisis: | G0sU | · Fotos y montaje: | |
| · Publicado por: | · Fecha: | 27/04/2005 |
Producto cedido por Swissbit
Tenemos el placer de presentar las futuras memorias que montarán nuestros ordenadores: DDR2. Mientras Intel dio el salto de DDR a DDR2 en verano del 2004, AMD ha anunciado su intención de pasarse a este nuevo estándar antes del verano del 2005, que será cuando intentará dar el paso hacia esta nueva generación de memorias. Por lo que el siguiente artículo será más que interesante para muchos de nuestros lectores.
La memoria RAM que analizamos hoy es un kit de 2 módulos de 512 MB de la empresa suiza Swissbit diseñados para trabajar en "Dual Channel". El bus de serie es de 533 con una capacidad de obtener un fsb de 266 a voltaje nominal o de serie. Sin mas preámbulos comencemos el análisis de estas memorias que seguro que disipara mas de una duda acerca de esta nueva tecnología.
Especificaciones del producto:
| - Modelo: | - Swissbit SEU06464A1B11IN-37 |
| - Especificaciones: | - DDR2 PC4300 FSB266 (533) 1.8V CL4.0 |
| - Tipo de módulo: | - 2 x 512MB (1GB en total) |
| - PCB: | - Swissbit (Siemens) |
| - Módulos de memoria: | - HYB18T (8x64MB) "Single Side" (en una cara) |
Presentación y vista en detalle:
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| Las memorias fueron enviadas en un estuche de plástico duro y resistente, muy parecido a los usados en procesadores y discos duros. | El tamaño del PCB es de 3 cm de ancho, por 13.3cm de largo. El módulo posee 240 pines, y montados en una sola de las caras 8 módulos de 64MB DDR2-SDRAM hasta llegar a la cantidad de 512MB por módulo. |
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| A simple vista, podría parecer que su aspecto es muy parecido a la DDR, pero la forma cuadrada y el tamaño pequeño de los chips, así como el montaje en una sola cara, son claramente diferenciables respecto a la DDR tradicional. | Los módulos de memoria únicamente están en una cara de la memoria, dejando la cara contraria ausente de componentes, como apreciamos en la imagen. |
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| Los módulos vienen claramente identificados con la información del PCB y chip DDR2 que montan. La pegatina identificadora podría estar en la cara contraria, para poder montar disipadores en los chips de memoria. | Podemos ver el sobre el chip DDR2-533 de Infineon su modelo concreto: HYB18T512800AC37. La principal características de los módulos DDR2 es su tamaño más reducido y en forma de cuadrado al contrario de los chips DDR, que presentan una forma rectangular y un tamaño mucho mayor. En este enlace podremos ver las características en PDF de estos módulos. |
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| Los dos modulos estan diseñados para funcionar en dual channel (DC), con lo que podremos obtener un gran ancho de banda en nuestra memoria. | Para montar los módulos en DC deberemos consultar el manual de la placa. Un consejo es que si nuestra placa tiene 3 bancos de memoria pincharlo en los que tengan distinto color, y si tiene 4 en los que tengan el mismo color, tal y como se aprecia en la imagen. |
Equipo de pruebas:
| Componente: | Modelo: |
| - Placa Base | - DFI Lan Party 925X-T2 |
| - Microprocesador | - Intel Pentium 4 Prescott 3GHZ LGA775 1MB L2 FSB800 |
| - Memoria | - 2x512 DDR2-533 Swissbit |
| - Disco Duro | - 2xSATA Maxtor Diamond10 200GB 7.2 caché 8MB en RAID0 |
| - Tarjeta gráfica | - ATI x700Pro 128 GDDR3 |
| - Fuente de alimentación | - OCZ PowerStream 520W |
| - Ventiladores | - Cooler Master Hyper 48 |
- Pruebas
Las pruebas se hicieron 3 veces por cada test, en las cuales se reiniciaba cada vez el ordenador para que hubieran el menor numero de variaciones. Se decidió tomar el test intermedio entre los tres tomados. Los test realizados fueron Sandra, Everest, CrystalMark y Memtest.
Notar que como apreciamos en la imagen del CPU-Z, vemos que existe un divisor 3:4 esto es debido a que la propia placa cuando introducimos un valor de FSB, introduce directamente divisores entre el puente norte (northbridge) y el procesador para que este fuera al FSB introducido. Por lo que para obtener el valor real de nuestro bus deberemos de multiplicar la frecuencia por el valor del divisor(FSB:DRAM).
En resumen, cuando la frecuencia de la memoria sea de 266 será realmente un FSB de 200, y cuando sea de 333 sera un FSB de 250.
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| Tenemos la memoria rebajada para mantener la velocidad del micro de fábrica/desktop. Las latencias son de 4-4-4-12. |
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| Comparándolo con la DDR CAS2 al mismo Bus/FSB que nuestra memoria, su diferencia es de menos de 200 MB/s sobre un ancho de 5000MB/s, por lo que, para tener una diferencia del doble en las latencias (CAS2 en DDR y CAS4 en DDR2), la DDR supera únicamente en un 4% a la DDR2. |
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| Pese a tener unas latencias muy altas, nuestra memoria tiene una velocidad de lectura que da unos resultados más que aceptables, incluso superando a plataformas con el mismo NorthBridge. |
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| Con la escritura ocurre igual que en el caso de la lectura, obtenemos unos resultados que la posicionan entre las primeras, teniendo en cuenta que la DDR2 no es diseñada para FSB tan bajos (alrededor de 200) sino para FSB mayores(266 y 337 actualmente, en nuestro caso 266 (533). |
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| Aquí es donde se aprecia el fallo de las DDR2, las latencias. Pese a estas latencias, como hemos observado en las dos imágenes superiores el rendimiento que obtenemos supera todas nuestras expectativas. |
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| Los valores que obtenemos son inferiores a los 2 test expuestos anteriormente. Decidimos usar un Memtest sobre un cd de arranque del sistema operativo GNU/Linux para comprobar cual era la velocidad real del sistema y nos dio unos valores más aproximados a los tests anteriores. Hemos decidido mantener este test, ya que nos sirve para comprobar el aumento del rendimiento cuando estas memoria son "overclockeadas". |
- Overclocking
Si os gusta llevar al limite vuestras memorias, estas memorias no son las vuestras, por que os puedo asegurar que muchos de vosotros no llegaréis al límite de estas grandes memorias. En los test conseguimos llegar a FSB260 teniendo nuestro northbridge 925X al máximo de voltaje(1.9V) de nuestra placa base DFI (conocida por la gran capacidad de OC), siendo nuestro sistema inestable debido al 925X y consiguiendo ser estable a 255.
Teniendo en cuenta que actualmente sólo los procesadores Intel montan placas bases con soporte para DDR2, conseguir llegar al límite de nuestra memoria es muy difícil, ya que el multiplicador más bajo es de 14 (2.8GHz), por lo que, únicamente llegando al valor nominal de nuestras memorias(FSB266) tendríamos nuestro micro a 3725MHz, siendo un overclock de casi 1000MHz (un aumento de un 33%).
Actualmente los 2.8 ya son difíciles de encontrar, por lo que, el modelo más bajo es el 3GHz con lo que tendríamos una velocidad de 4GHz, e iría aumentando si nuestros micros fueran a mayor velocidad de serie (mayor multiplicador por tanto), con lo que, la posibilidad de llegar a exprimir estas memorias es muy difícil.
Por último comentar que si tenemos pensados adquirir una placa Intel, y montar unas memorias DDR2 como las que analizamos y querer superar la barrera de FSB250, únicamente lo conseguiréis con el chipset 925XE, ya que el chipset 925X (el modelo superior que había en España cuando hicimos el análisis y el que usamos en este reviews) y el 915, a partir de FSBs de 255-265, desbloquean el PCI y el PCI-E con el consiguiente peligro para nuestro sistema.
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| Nuestra primera prueba consiste en reducir en 0.1V el voltaje de la memoria y bajar el RAS to CAS y el RAS a 3 (de serie viene en 4), con lo que tenemos unas latencias de 4-3-3-12. El aumento obtenido fue mínimo. |
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| Fue el máximo overclock que alcanzamos siendo el sistema estable. Fue de FSB250 (DDR500), con unas latencias de 4-4-4-12 y un voltage de 1.8V (voltaje de fábrica). La velocidad del micro era de 3750MHz. |
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| Como vemos, cuando nos aproximamos a la velocidad nominal de las memorias, el aumento es considerable, siendo algo mas de 1200MB/s más rápido que a DDR400 (25% de aumento) y 400MB/s mas rápido que DDR al mismo FSB (8% mas). |
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| El Everest nos dice que el aumento es de 1300MB/s, un valor muy aproximado a lo que marca el test Sandra. Como vemos la disminución del acceso a la fila de la matriz (RAS) en 3, únicamente ha supuesto un aumento de cerca de 54MB/s. |
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| El aumento en la escritura no ha sido tan grande como la lectura debido a las latencias. Es en la escritura donde la disminución del RAS se aprecia siendo de casi 120MB/s (teniendo en cuenta que la escritura suele ser de menos que la mitad de rápida que la lectura). |
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| El aumento del FSB ha supuesto una reducción considerable (cerca del 20%) de nuestras latencia, pero se encuentra muy por debajo de los valores dados por la DDR CAS2, aunque como hemos visto, la velocidad de lectura a FSB250 es superior en DDR2 que en DDR. |
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| La puntuación obtenida en el CrystalMark refleja el rendimiento de estas memorias a FSB altos. En el test podemos apreciar como la reducción en el RAS ha supuesto un aumento en la puntuación de 350 puntos. |
- Conclusión:
| Nos gusta | Puede mejorar |
| - Gran posibilidad de OC. | - La pegatina identificadora en la cara opuesta, tendremos que quitarla si queremos instalar un disipador. Recordad que de esta manera eliminaremos la garantía. |
| - Muy buen rendimiento obtenido en los tests. |
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| - Información muy detallada en la web del fabricante. |
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El rendimiento obtenido a FSB altos, la diferencia mínima en FSB nominales respecto a la DDR y su gran posibilidad de OC, hacen de estas memorias una compra acertada. Estas memorias están diseñadas para los entusiastas del OC, ya que no deberemos de buscar aparatos o modificaciones para nuestras placas con el fin de obtener un mayor FSB en nuestras memorias, ya que con éstas lograremos velocidades de FSB muy altas con un voltaje nominal.
Los usuarios de Intel ya tienen otra opción para poder elegir unas memorias DDR2 de calidad a un precio más que ajustado aunque un poco más caras que las OEM, con la que obtendremos rendimientos superiores y una estabilidad y fiabilidad superiores frente al resto de numerosos competidores.
Análisis realizador por g0su.
Producto cedido por Swissbit
| Producto / Enlace | Precio aprox. (27/04/05) |
| 130€ (IVA inc.) |
